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公司現(xiàn)有兩類(lèi)層間電介質(zhì)（ILD）化學(xué)機(jī)械拋光液，包括基于氧化硅納米顆粒的拋光液和氧化鈰納米顆粒的拋光液：氧化硅納米顆粒的ILD拋光液具有高去除速率、高平坦化效率、低缺陷的優(yōu)點(diǎn)；氧化鈰納米顆粒的ILD拋光液具有高去除速率、高平坦化效率、低缺陷、低成本的優(yōu)點(diǎn)。

基于氧化鈰納米顆粒的淺槽隔離（STI）化學(xué)機(jī)械拋光液用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光，具有高選擇比、選擇比可調(diào)、高平坦化效率、低缺陷率和低成本等優(yōu)點(diǎn)。

金屬鎢拋光液用于集成電路制造工藝中鎢塞和鎢通孔的平坦化。公司現(xiàn)有兩種基于氧化硅磨料的鎢化學(xué)機(jī)械拋光液，包括高選擇比的鎢本體拋光液和高稀釋比的鎢本體拋光液；具有可調(diào)的鎢去除速率。產(chǎn)品可應(yīng)用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片中鎢的平坦化。同時(shí)，更多類(lèi)型的鎢CMP拋光液產(chǎn)品正在持續(xù)研發(fā)中。

硅晶圓襯底類(lèi)化學(xué)機(jī)械拋光液主要用于硅片襯底的平坦化。公司現(xiàn)有三大系列（粗拋、邊拋、精拋）硅片CMP拋光液，包括循環(huán)時(shí)間長(zhǎng)、高純度的硅片粗拋拋光液；高拋光速率、低粗糙度的硅片邊拋拋光液和高平整度、低缺陷的硅片精拋拋光液。產(chǎn)品可用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片中硅襯底的平坦化，以及多晶硅、再生硅和其他硅應(yīng)用的表面平坦化。

碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光液可用于各種碳化硅襯底的平坦化。公司現(xiàn)有多款不同類(lèi)別的碳化硅拋光液，適用于不同尺寸下4H及6H構(gòu)型碳化硅晶圓的粗拋與精拋，具有高去除率、高平坦化速率、可濃縮和低腐蝕性或無(wú)腐蝕性的產(chǎn)品特性。

公司現(xiàn)有氧化鋁體系和硅溶膠體系的超精密加工類(lèi)化學(xué)機(jī)械拋光液，可用于不銹鋼、鋁合金、鈦合金、陶瓷等材料的拋光，產(chǎn)品線(xiàn)分為平拋和3D拋，產(chǎn)品具有去除率高、拋光后粗糙度低于10nm、光澤度高、易于清洗等優(yōu)點(diǎn)。